Karbîda silîkonê (SiC) bi helandina germahiya bilind di firineke berxwedanê de bi madeyên xav ên wekî qûma kuartzê, koka petrolê (an jî koka komirê), perçeyên daran (xwê ji bo hilberîna karbîda silîkonê ya kesk pêwîst e) tê çêkirin. Karbîda silîkonê di xwezayê de jî heye, mîneralek kêm, moîsanît. Karbîda silîkonê jî wekî moîsanît tê binavkirin. Di nav materyalên agirpêketî yên teknolojiya bilind ên ne-oksîd de wekî C, N, û B, karbîda silîkonê ya herî berbelav û aborî ye, û dikare wekî grîta pola zêr an grîta agirpêketî were binavkirin. Niha, hilberîna pîşesazî ya karbîda silîkonê ya Çînê li ser karbîda silîkonê ya reş û karbîda silîkonê ya kesk tê dabeşkirin, ku her du jî krîstalên şeşalî ne ku giraniya wan a taybetî 3.20-3.25 û mîkrohişkiya wan 2840-3320kg/mm2 ye.

Çar warên sereke yên sepandina silîkon karbîdê hene, ew jî ev in: seramîkên fonksiyonel, agirpêketinên pêşketî, madeyên aşındêr û madeyên xav ên metalurjiyê. Materyalên silîkon karbîdê yên qalind dikarin bi mîqdarên mezin werin dabînkirin û nikarin wekî berhemeke teknolojiya bilind werin hesibandin. Sepandina toza silîkon karbîdê ya di asta nano de bi naveroka teknîkî ya pir bilind, ne mimkûn e ku di demek kurt de aboriya pîvanê çêbike.

⑴Wekî aşınker, ew dikare ji bo çêkirina amûrên aşınker, wek tekerên hêrandinê, kevirên rûnê, serên hêrandinê, tebeqeyên qûmê, û hwd. were bikar anîn.

⑵Wekî deoksîderek metalurjîk û materyalek berxwedêr a germahiya bilind.

⑶ Krîstalên yekane yên paqijiya bilind dikarin ji bo çêkirina nîvconductors û fîberên silicon carbide werin bikar anîn.